Marca: Samsung
Modelo: MZ-V9S1T0BW
Capacidad: 1TB
Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Tamaño: M.2 (2280)

Rendimiento
- Lectura secuencial: hasta 7150 MB/s
- Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 850.000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.350.000 IOPS

Características
- Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host)
- Soporte TRIM
- Soporte S.M.A.R.T
- GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura
- SOPORTE DE CIFRADO
  Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal
  IEEE1667 (unidad cifrada)
- Soporte WWN
- Soporte del modo de suspensión del dispositivo

Alimentación
- Consumo medio de energía (Nivel de sistema):
  Promedio: Lectura 4,3 W / Escritura 4,2 W
- Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW
- Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico
- Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida
- Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF)
- Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC Temperatura de funcionamiento
- Choque: 1.500 G y 0,5 ms (medio seno)

Dimensiones y peso
- 80,15 x 22,15 x 2,38mm
- Max. 9 g